Porogovaya fotogeneratsiya bieksitonov v nanokristallakh na osnove pryamozonnykh poluprovodnikov

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.

Sobre autores

S. Fomichev

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Н.Новгород, Россия

V. Burdov

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Email: burdov@phys.unn.ru
Н.Новгород, Россия

Bibliografia

  1. A.R. Beattie, J. Phys. Chem. Solids 24, 1049 (1962).
  2. E.O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
  3. C. L. Anderson and C.R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
  4. R.C. Alig and S. Bloom, Phys. Rev. Lett. 35, 1522 (1975).
  5. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
  6. O. Christensen, J. Appl. Phys. 47, 689 (1976).
  7. S. Kolodinski, J.H. Werner, T. Wittchen, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 63, 2405 (1993).
  8. M. Wolf, R. Brendel, J.H. Werner, and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 83, 4213 (1998).
  9. K. Hyeon-Deuk and O.V. Prezhdo, J. Phys.: Condens. Matter 24, 363201 (2012).
  10. V. I. Klimov, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 5, 285 (2014).
  11. I. Marri and S. Ossicini, Nanoscale 13, 12119 (2021).
  12. C. Melnychuk and P. Guyot-Sionnest, Chem. Rev. 121, 2325 (2021).
  13. M.C. Beard, A.G. Midgett, M.C. Hanna, J.M. Luther, B.K. Hughes, and A. J. Nozik, Nano Lett. 10, 3019 (2010).
  14. R.D. Schaller and V. I. Klimov, Phys. Rev. Lett. 92, 186601 (2004).
  15. M.C. Beard, K.P. Knutsen, P. Yu, J.M. Luther, Q. Song, W.K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
  16. R.D. Schaller, V.M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
  17. V. I. Rupasov and V. I. Klimov, Phys. Rev. B 76, 125321 (2007).
  18. S.A. Fomichev and V.A. Burdov, J. Chem. Phys. 160, 234301 (2024).
  19. В.А. Бурдов, ЖЭТФ 121, 480 (2002).
  20. J.R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
  21. P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2010).
  22. P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
  23. M. L. Cohen and T.K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
  24. V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024