Температурная стабильность спиновых дефектов в 6H-SiC на основе данных фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Методами высокочастотного электронного парамагнитного резонанса и люминесцентного анализа изучены спиновые и оптические свойства двух основных типов спиновых дефектов (NV-центров и дивакансий) в изотопно-очищенном кристалле 6H-28SiC в зависимости от температуры образца. Установлено, что с повышением температуры кристалла от 40 до 140 К отношение интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от дивакансий к сигналам от NV-дефектов монотонно уменьшается, а при температурах выше 140 К сигналы от дивакансий перестают наблюдаться. Анализ оптических характеристик дефектов при изменении температуры кристалла с определением величин энергии активации показал, что все типы центров окраски, вне зависимости от позиции в кристаллической решетке и типа симметрии (С1h и C3v), обладают механизмом теплового тушения люминесценции. Полученные результаты указывают на возможность совместного размещения электронных кубитов на основе NV-центров и дивакансий в пределах одной матрицы карбида кремния, с последующей реализацией селективной инициализации, обработки (эволюции) и считывания состояния определенного одиночного центра.

Об авторах

Ю. Е Ермакова

Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет

Email: yliyaermakova@gym5cheb.ru
Казань, Россия

И. Н Грачева

Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет

Казань, Россия

Ф. Ф Мурзаханов

Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет

Казань, Россия

А. Н Смирнов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

И. А Елисеев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

О. П Казарова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

Г. В Мамин

Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет

Казань, Россия

М. Р Гафуров

Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет

Казань, Россия

Список литературы

  1. D. D. Awschalom, R. Hanson, J. Wrachtrup, and B. B. Zhou, Nat. Photonics 12, 516 (2018).
  2. J.-F. Wang, F.-F. Yan, Q. Li, Zh.-H. Liu, H. Liu, G.-P. Guo, L.-P. Guo, X. Zhou, J.-M. Cui, and J. Wang, Phys. Rev. Lett. 124, 223601 (2020).
  3. M. Ruhl, C. Ott, S. Gotzinger, M. Krieger, and H. B. Weber, Appl. Phys. Lett. 113, 122102 (2018).
  4. K. Khazen, H. J. von Bardeleben, S. A. Zargaleh, J. L. Cantin, M. Zhao, W. Gao, T. Biktagirov, and U. Gerstmann, Phys. Rev. B 100(20), 205202 (2019).
  5. E. L. Ousdal, M. E. Bathen, A. Galeckas, A. Kuznetsov, and L. Vines, J. Appl. Phys. 135, 225701 (2024); https://doi.org/10.1063/5.0205832.
  6. D. Shafizadeh, J. Davidsson, T. Ohshima, I. G. Ivanov, I. A. Abrikosov, and N. T. Son, Phys. Rev. B 109, 235203 (2024); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.235203.
  7. J. Davidsson, V. Ivady, R. Armiento, T. Ohshima, N. T. Son, A. Gali, and I. A. Abrikosov, Appl. Phys. Lett. 114(11), 5 (2019); https://doi.org/10.1063/1.5083031.
  8. I. D. Breev, Z. Shang, A. V. Poshakinskiy, H. Singh, R. A. Babunts, P. G. Baranov, D. Suter, Y. Berenc´en, S. A. Tarasenko, G. V. Astakhov, M. Hollenbach, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, and A. N. Anisimov, npj Quantum Inf. 8(1), 23, 9 (2022); https://doi.org/10.1038/s41534-022-00534-2.
  9. H. Singh, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, and D. Suter, arXiv preprint arXiv:2212.10256 (2022).
  10. A. Meijerink, G. Blasse, and M. Glasbeek, J. Phys. Condens. Matter. 2(29), 6303 (1990).
  11. V. A. Nikitenko, J. Appl. Spectrosc. 57(5), 783 (1992).
  12. Yu. A. Vodakov, E. N. Mokhov, M. G. Ramm, and A. D. Roenkov, Krist. Tech. 14, 729 (1979).
  13. V. A. Soltamov, C. Kasper, A. V. Poshakinskiy, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, A. Sperlich, S. A. Tarasenko, P. G. Baranov, G. V. Astakhov, and V. Dyakonov, Nat. Commun. 10, 1678 (2019).
  14. H. J. von Bardeleben, J. L. Cantin, A. Csore, A. Gali, E. Rauls, and U. Gerstmann, Phys. Rev. B 94, 121202 (2016); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.121202.
  15. L. Forss and M. Schubnell, Appl. Phys. B 56, 363 (1993).
  16. J. E`. Krustok, H. Collana, and K. Hjelt, J. Appl. Phys. 81, 3 (1997); https://doi.org/10.1063/1.363903.
  17. A. B. M. A. Ashrafi, N. T. Binh, and B. P. Zhang, Y. Segawa, J. Appl. Phys. 95, 12 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1649451.
  18. A. J. van Bunningen, A. D. Sontakke, R. van der Vliet, V. G. Spit, and A. Meijerink, Adv. Opt. Mater. 11, 2202794 (2023); https://doi.org/10.1002/adom.202202794.
  19. M. A. Reshchikov, N. M. Albarakati, M. Monavarian, V. Avrutin, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 123, 161520 (2018); doi: 10.1063/1.4995275.
  20. A. F. Zatsepin, E. A. Buntov, and A. L. Ageev, J. Lumin. 130(10), 1721 (2010).
  21. И. Н. Огородников, М. Д. Петренко, В. Ю. Иванов, ФТТ 60(1), 132 (2018); https://doi.org/10.21883/FTT.2018.01.45300.171.
  22. В. И. Корепанов, Импульсный люминесцентный анализ: учебное пособие, Изд-во Томского политех- нического университета, Томск (2008), 131 с.
  23. В. А. Пустоваров, Люминесценция и релаксационные процессы в диэлектриках, Учебное пособие, Изд-во УрФУ, Екатеринбург (2015), 113 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2025