Информация об авторе

Рыжук, Р. В.

Выпуск	Раздел	Название	Файл
Том 53, № 3 (2024)	ПРИБОРЫ	Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером
Том 52, № 3 (2023)	МОДЕЛИРОВАНИЕ	Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора
Том 53, № 6 (2024)	ПРИБОРЫ	III-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером AlN: получение и экспериментальное применение