Информация об авторе
Siglovaya, N. V.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 53, № 3 (2024) | ПРИБОРЫ | Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером |
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 53, № 3 (2024) | ПРИБОРЫ | Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером |