Оптические свойства кремниевых нанонитей, полученных методом металл-стимулированного химического травления с использованием золотых наночастиц

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Кремниевые нанонити (КНН), благодаря их уникальным структурным и физическим свойствам, являются перспективным материалом для использования в электронике, фотовольтаике, фотонике, сенсорике и биомедицине. Несмотря на множество методов, доступных для синтеза КНН, металл-стимулированное химическое травление (MСХТ) сегодня является одним из наиболее перспективных для их экономически эффективного производства. В большинстве работ в качестве катализатора химической реакции травления кристаллического кремния используют наночастицы серебра. Однако использование золотых наночастиц в МСХТ может существенно повлиять на морфологию и оптические характеристики получаемых образцов. В представленной работе КНН синтезированы методом МСХТ кристаллического кремния с использованием золотых наночастиц. Показано с помощью методов растровой и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, что полученные нанонити имеют диаметр ~ 100 нм и представляют собой ~ 50 нм кристаллический стержень, покрытый ~ 25 нм слоем SiO2, на границе которых присутствуют кремниевые нанокристаллы. Пористость массивов КНН оценивалась из их спектров зеркального отражения, и рассчитывалась с помощью модели эффективной среды Бруггемана, и составляет 70 %. При этом образцы демонстрируют крайне низкое (3-7 %)полное отражение в спектральной области 250-1000 нм, увеличение интенсивностей межзонной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света по сравнению с исходной подложкой кристаллического кремния, за счет эффекта локализации света. Кроме того, обнаружена фотолюминесценция нанонитей в области 500-1000 нм с максимумом на 700 нм, что объясняется излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах с размером 3-5 нм.

Об авторах

К. А Гончар

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

И. В Божьев

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

О. А Шалыгина

МГУ имени М. В. Ломоносова

Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия

Л. А Осминкина

МГУ имени М. В. Ломоносова;Институт биологического приборостроения РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: k.a.gonchar@gmail.com
119991, г. Москва, Россия; 142290, г. Пущино, Московская область, Россия

Список литературы

  1. A. S. Kalyuzhnaya, A. I. E mova, L. A. Golovan, K. A. Gonchar, V. Y. Timoshenko, Silicon nanomaterials sourcebook: Volume II: Arrays,functional materials, and industrial nanosilicon, CRC Press-Taylor & Francis Group, London (2017), p. 3.
  2. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
  3. J. E. Allen, E. R. Hemesath, D. E. Perea, J. L. Lensch-Falk, Z. Y. Li, F. Yin, M. H. Gass, P. Wang, A. L. Bleloch, R. E. Palmer, and L. J. Lauhon, Nat. Nanotechnol 3, 168 (2008).
  4. K. Q. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, and J. Zhu, Adv. Mater. 14(16), 1164 (2002).
  5. K. Q. Peng, J. J. Hu, Y. J. Yan, Y. Wu, H. Fang, Y. Xu, S. T. Lee, and J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 16(3), 387 (2006).
  6. K. Q. Peng, A. J. Lu, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 18(19), 3026 (2008).
  7. V. A. Sivakov, F. Voigt, A. Berger, G. Bauer, and S. H. Christiansen, Phys. Rev. B 82(12), 125446 (2010).
  8. A. E mova, A. Eliseev, V. Georgobiani, M. Kholodov, A. Kolchin, D. Presnov, N. Tkachenko, S. Zabotnov, L. Golovan, and P. Kashkarov, Opt. Quantum Electron. 48, 232 (2016).
  9. L. A. Golovan, K. A. Gonchar, L. A. Osminkina, V. Yu. Timoshenko, G. I. Petrov, and V. V. Yakovlev, Laser Phys. Lett. 9(2), 145 (2012).
  10. К. А. Гончар, Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, В. А. Сиваков, С. Кристиансен, Изв. РАН. Серия физическая 74(12), 1782 (2010)
  11. K. A. Gonchar, L. A. Golovan, V. Y. Timoshenko, V. A. Sivakov, and S. Christiansen, Bull.Russ. Acad. Sci. Phys. 74(12), 1712 (2010).
  12. В. А. Георгобиани, К. А. Гончар, Л. А. Осминкина, В. Ю. Тимошенко, ФТП 49(8), 1050 (2015)
  13. V. A. Georgobiani, K. A. Gonchar, L. A. Osminkina, and V. Yu. Timoshenko, Semicond. 49(8), 1025 (2015).
  14. S. S. Bubenov, S. G. Dorofeev, A. A. Eliseev, N. N. Kononov, A. V. Garshev, N. E. Mordvinova, and O. I. Lebedev, RSC Adv. 8(34), 18896 (2018).
  15. A. I. E mova, E. A. Lipkova, K. A. Gonchar, D. E. Presnov, A. A. Eliseev, A. V. Pavlikov, and V. Yu. Timoshenko, J. Raman Spectrosc. 51(11), 2146 (2020).
  16. P. Gorostiza, R. Diaz, M. A. Kulandainathan, F. Sanz, and J. R. Morante, J. Electroanal. Chem. 469(1), 48 (1999).
  17. X. Li and P. W. Bohn, Appl. Phys. Lett. 77(16), 2572 (2000).
  18. S. Chattopadhyay, X. Li, and P. W. Bohn, J. Appl. Phys. 91(9), 6134 (2002).
  19. V. A. Sivakov, G. Bronstrup, B. Pecz, A. Berger, G. Z. Radnoczi, M. Krause, and S. H. Christiansen, J. Phys. Chem. C 114(9), 3798 (2010).
  20. M. K. Dawood, S. Tripathy, S. B. Dolmanan, T. H. Ng, H. Tan, and J. Lam, Appl. Phys. 112, 073509 (2012).
  21. I. V. Bagal, M. A. Johar, M. A. Hassan, A. Waseem, and S.-W. Ryu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 29, 18167 (2018).
  22. F. J. Wendisch, M. Rey, N. Vogel, and G. R. Bourret, Chem. Mater. 32(21), 9425 (2020).
  23. S. Wang, H. Liu, and J. Han, Coatings 9, 149 (2019).
  24. B. Li, G. Niu, L. Sun, L. Yao, C. Wang, and Y. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Proc. 82, 1 (2018).
  25. M. Bechelany, E. Berodier, X. Maeder, S. Schmitt, J. Michler, and L. Philippe, ACS Appl. Mater.Interfaces 3(10), 3866 (2011).
  26. A. D. Kartashova, K. A. Gonchar, D. A. Chermoshentsev, E. A. Alekseeva, M. B. Gongalsky, I. V. Bozhev, A. A. Eliseev, S. A. Dyakov, J. V. Samsonova, and L. A. Osminkina, ACS Biomater. Sci. Eng. 8(10), 4175 (2021).
  27. B. Rossi, Optics, Addison-Wesley, Reading, MA (1957).
  28. D. A. G. Bruggeman, Ann. Phys. (Leipzig) 416(7), 636 (1935).
  29. G. Ledoux, O. Guillois, D. Porterat, C. Reynaud, F. Huisken, B. Kohn, and V. Paillard, Phys. Rev. B 62(23), 15942 (2000).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2023