Mikrovolnovaya fotoprovodimost' besshchelevykh dirakovskikh fermionov v HgTe kvantovykh yamakh

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование микроволновой фотопроводимости системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах критической толщины. Обнаружено, что фотопроводимость флуктуирует в зависимости от затворного напряжения в окрестности дираковской точки, а амплитуда флуктуаций растет с увеличением размера проводника и при уменьшении температуры. Предложено теоретическое объяснение микроволнового отклика. Оно базируется на предположении о существовании перколяционной двумерной фрактальной сетки геликоидальных краевых токовых состояний, возникающей в результате флуктуаций толщины ямы вблизи критического значения. Показано, что микрововолновая фотопроводимость такой сетки флуктуирует при изменении энергии Ферми, причем поведение амплитуды флуктуаций качественно согласуется с наблюдаемым в эксперименте.

Авторлар туралы

N. Kuz'min

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

A. Yaroshevich

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Email: jarosh@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия

L. Braginskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

M. Entin

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Z. Kvon

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

N. Mikhaylov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Әдебиет тізімі

  1. B. B¨uttner, C. X. Liu, G. Tkachov, E. G. Novik, C. Br¨une, H. Buhmann, E. M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S. C. Zhang and L. W. Molenkamp, Nature Phys. 7, 418 (2011).
  2. Z. D. Kvon, S. N. Danilov, D. A. Kozlov, C. Zoth, N.N. Mikhailov, S .A. Dvoretskii, and S. D. Ganichev, JETP Lett. 94, 816 (2011).
  3. G. Tkachev, C. Thienel, V. Pinneker, B. B¨uttner, C. Br¨une, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, and E. M. Hankiewicz, Phys. Rev. Lett. 106, 076802 (2011).
  4. D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretskii, JETP Lett. 96, 730 (2012).
  5. C. Zoth, P. Olbrich, P. Vierling, K.-M. Dantscher, V. V. Bel’kov, M. A. Semina, M. M. Glazov, L. E. Golub, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and S. D. Ganichev, Phys. Rev. B 90, 205415 (2014).
  6. D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, JETP Lett. 100, 724 (2014).
  7. A.M. Shuvaev, V. Dziom, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, Y. Shao, D. N. Basov, and A. Pimenov, Phys. Rev. B 96, 155434 (2017).
  8. A. Shuvaev, V. Dziom, J. Gospodariˆc, E. G. Novik, A. A. Dobretsova, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, and A. Pimenov, Nanomaterials 12, 2492 (2022).
  9. M. M. Mahmoodian and M. V. Entin, Phys. Status Solidi b 256, 1800652 (2019).
  10. M. M. Mahmoodian and M. V. Entin, Phys. Rev. B 101, 125415 (2020).
  11. G. M. Gusev, Z. D. Kvon, D. A Kozlov, E. B. Olshanetsky, M. V. Entin, N. N. Mikhailov, 2D Mater. 9, 015021 (2022).
  12. B. L. Al’tshuler and D. E. Khmel’nitskii, JETP Lett. 42, 359 (1985).
  13. D. Stauffer and A. Aharony, Introduction to Percolation Theory, 2nd revised edition, Taylor & Francis, London (2003), p. 52.
  14. A. M. Dykhne, Soviet Physics JETP 32, 63 (1971).
  15. M. V. Entin, Semiconductors 31, 829 (1997).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Российская академия наук, 2024