Magnitnye pereklyucheniya FSF-mostikov pri nizkikh temperaturakh

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

В статье представлены эксперименты по изучению вольт-амперных характеристик планарных микромостиков Pd0.99Fe0.01-Nb-Pd0.99Fe0.01 при температурах существенно меньше критической. Обнаружено, что даже при таких температурах наблюдается эффект магнитной памяти, проявляющийся в зависимости формы вольт-амперных характеристик от взаимной ориентации намагниченностей F-слоев. Показано, что исследованный образец может функционировать в качестве магнитного переключателя с амплитудой изменения напряжения более 600 мкВ, что соответствует характеристической частоте около 300 ГГц при использовании таких мостиков в качестве элементов памяти в устройствах быстрой одноквантовой логики. Такие характеристики были получены при температуре 0.93Tc, являющейся минимальной рабочей температурой реализованного элемента памяти. Обнаружен низковольтный режим работы образца, характеризующийся широким диапазоном допустимых токов питания.

About the authors

L. N Karelina

Институт физики твердого тела РАН

Черноголовка, Россия

N. S Shuravin

Институт физики твердого тела РАН

Черноголовка, Россия

S. V Egorov

Институт физики твердого тела РАН

Черноголовка, Россия

V. V Bol'ginov

Институт физики твердого тела РАН

Email: bolg@issp.ac.ru
Черноголовка, Россия

V. V Ryazanov

Институт физики твердого тела РАН

Черноголовка, Россия

References

  1. А. И. Ларкин, Ю. Н. Овчинников, ЖЭТФ 47, 1136 (1964).
  2. F. S. Bergeret, A. F. Volkov, and K. B. Efetov, Rev. Mod. Phys. 77, 1321 (2005).
  3. L. R. Tagirov, Phys. Rev. Lett. 83, 2058 (1999).
  4. S. Oh, D. Youm, and M. R. Beasley, Appl. Phys. Lett. 71, 2376 (1997).
  5. L. N. Karelina, R. A. Hovhannisyan, I. A. Golovchanskiy, V. I. Chichkov, A. Ben Hamida, V. S. Stolyarov, L. S. Uspenskaya, Sh. A. Erkenov, V. V. Bolginov, and V. V. Ryazanov, J. Appl. Phys. 130, 173901 (2021).
  6. Л. Н. Карелина, В. В. Больгинов, Ш. А. Эркенов, С. В. Егоров, И. А. Головчанский, В. И. Чичков, А. Бен Хамида, В. В. Рязанов, Письма в ЖЭТФ 112, 743 (2020).
  7. Л. Н. Карелина, Н. С. Шуравин, А. С. Ионин, С. В. Бакурский, С. В. Егоров, И. А. Головчанский, В. И. Чичков, В. В. Больгинов, В. В. Рязанов, Письма в ЖЭТФ 116, 108 (2022).
  8. T. I. Larkin, V. V. Bol’ginov, V. S. Stolyarov, V. V. Ryazanov, I. V. Vernik, S. K. Tolpygo, and O. A. Mukhanov, Appl. Phys. Lett. 100, 222601 (2012).
  9. В. В. Шмидт, Введение в физику сверхпроводников, 2-е изд., МЦНМО, М. (2000).
  10. В. В. Рязанов, В. А. Обознов, А. С. Прокофьев, С. В. Дубонос, Письма в ЖЭТФ 77, 43 (2003).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Российская академия наук