Lokal'nye poverkhnostnye plazmonnye rezonansy v plenochnykh strukturakh Cu/As2Se3

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Впервые синтезированы плазмонные наноструктуры в результате диффузии Cu в пленку As2Se3 при формировании пленочной структуры Cu/As2Se3 последовательным напылением в вакууме Cu и As2Se3. Методом спектроскопической эллипсометрии получены спектры коэффициентов экстинкции и показателя преломления, а также действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости синтезированных структур в диапазоне длин волн 240–2500 нм, свидетельствующие о наличии локализованных поверхностных плазмонных резонансов. Показано, что изменением толщины пленки меди и термическим отжигом можно управлять частотным положением плазмонных резонансов в диапазоне длин волн от 470 до 660 нм.

Sobre autores

V. Kogay

Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения РАН

Email: vkogai@udman.ru
Ижевск, Россия

G. Mikheev

Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения РАН

Ижевск, Россия

Bibliografia

  1. S.A. Maier, Plasmonics: Fundamentals and Applications, Springer, N.Y. (2007).
  2. J. J. Mock, D.R. Smith, and S. Schultz, Nano Lett. 3, 485 (2003).
  3. S. Raza, W. Yan, N. Stenger, M. Wubs, and N.A. Mortensen, Opt. Express 21, 203 (2013).
  4. V. Amendola, O.M. Bakr, and S. Francesco, Plasmonics 5, 85 (2010).
  5. В.В. Климов, Наноплазмоника, Физматлит, М. (2009).
  6. M. I. Stockman, M. F. Kling, U. Kleineberg, and F. Krausz, Nat. Photonics 1, 539 (2007).
  7. D. J. Bergman and M. I. Stockman, Phys. Rev. Lett. 90, 027402 (2003).
  8. M.R. Beversluis, A. Bouhelier, and L. Novotny, Phys. Rev. 68, 115433 (2003).
  9. S. F. Bartolucci, A.C. Leff, and J.A. Maurer, Nanoscale Adv. 6, 2499 (2024).
  10. В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, УФН 135, 345 (1981).
  11. И.Р. Нибиев, Р. Г. Ефремов, Г.Д. Чуманов, УФН 154, 459 (1988).
  12. R. Pilot, C. Durante, L. Orian, M. Bhamidipati, and L. Fabris, Biosensors 9, 57 (2019).
  13. I. Boginskaya, A. Gainutdinova, A. Gusev, K. Mailyan, A. Mikhailitsyn, M. Sedova, A. Vdovichenko, A. Glushchenkov, A. Dorofeenko, and I. Ryzhikov, Coatings 11, 1171 (2021).
  14. N.N. Durmanov, R.R. Guliev, A.V. Eremenko et al. (Collaboration), Sensors Actuators B Chem. 257, 37 (2018).
  15. M. Li, S.K. Cushing, and N. Wu, Analyst 140, 386 (2015).
  16. M.D. Susman, Y. Feldman, T.A. Bendikov, A. Vaskevich, and I. Rubinstein, Nanoscale 9, 12573 (2017).
  17. G.H. Chan, J. Zhao, E.M. Hicks, G.C. Schatz, and R.P.V. Duyne, Nano Lett. 7, 1947 (2007).
  18. L.Wang, M.H. Kafshgari, and M. Meunier, Adv. Funct. Mater. 30, 2005400 (2020).
  19. А.К. Сарычев, А.В. Иванов, К.Н. Афанасьев, И.В. Быков, И.А. Богинская, И.Н. Курочкин, А.Н. Лагарьков, А.М. Мерзликин, В.В. Михеев, Д.В. Негров, И.А. Рыжиков, М.В. Седова, Квантовая электроника 48, 1147 (2018).
  20. J. Huang, X. Wang, X. L. Phuah, P. Lu, Z. Qi, and H. Wang, Mater. Today Nano 8, 100052 (2019).
  21. A.R. Indhu, C. Dharanya, and G. Dharmalingam, Plasmonics 19, 1303 (2024).
  22. A.E. Fateev, V. S. Antropova, V.Y. Kogai, R.G. Zonov, T.N. Mogileva, and G.M. Mikheev, Opt. Mater. (Amst). 151, 115361 (2024).
  23. Y.-M. Zhao, X.-G. Hu, C. Chen, Z.-H. Wang, A.-P. Wu, H.-W. Zhang, P.-X. Hou, C. Liu, and H.-M. Cheng, Nano Res. 17, 5930 (2024).
  24. C. Wei and Q. Liu, CrystEngComm 19, 3254 (2017).
  25. P. Liu, H. Wang, X. Li, M. Rui, and H. Zeng, RSC Adv. 5, 79738 (2015).
  26. S. Mohapatra, Y.K. Mishra, and A.M. Warrier, Plasmonics 7, 25 (2012).
  27. B. Karthikeyan, M. Anija, C. S. S. Sandeep, T.M.M. Nadeer, and R. Philip, Opt. Commun. 281, 2933 (2008).
  28. З.У. Борисова, Халькогенидные полупроводниковые стекла, Л. университет, Л. (1983).
  29. В.Я. Когай, Письма в ЖТФ 44, 3 (2018).
  30. T. Lunskens, P. Heister, M. Thamer, C.A. Walenta, A. Kartouzian, and U. Heiz, Phys. Chem. Chem. Physics, 17, 17541 (2015).
  31. N. Nilius, N. Ernst, and H. Freund, Phys. Rev. Lett. 84, 3994 (2000).
  32. C. S¨onnichsen, T. Franzl, T. Wilk, G. von Plessen, and J. Feldmann, Phys. Rev. Lett. 88, 077402 (2002).
  33. M. Piliarik, P. Kvasnicka, N. Galler, and J.R. Krenn, Opt. Express 19, 9213 (2011).
  34. M. Moskovits, J. Chern. Phys. 69, 4159 (1978).
  35. D. I. Yakubovsky, Y.V. Stebunov, R.V. Kirtaev, G.A. Ermolaev, M. S. Mironov, S.M. Novikov, A.V. Arsenin, and V. S. Volkov, Adv. Mater. Interfaces 6, 1900196 (2019).
  36. D. I. Yakubovsky, Y.V. Stebunov, R.V. Kirtaev, K.V. Voronin, A.A. Voronov, A.V. Arsenin, and V. S. Volkov, Nanomaterials 8, 1058 (2018).
  37. Л.А. Головень, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, УФН 177, 619 (2007).
  38. K.N. Afanasev, I.A. Boginskaya, A.V. Dorofeenko, A.V. Gysev, K.A. Mailyan, A.V. Pebalk, V.N. Chvalyn, S.A. Ozerin, M.V. Sedova, I.A.Rodionov, V.V.Pogosov, and I.A. Ryzhikov, IEEE Trans. Nanotechnol. 16, 274 (2017).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024