Spinodal'nyy raspad viskerov NbS3 c volnami zaryadovoy plotnosti

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Рентгенодифракционное исследование в скользящей геометрии вискеров NbS3 II фазы с волнами зарядовой плотности показало, что в них вместо одиночных пиков (h0l) присутствуют пары уширенных рефлексов от двух близких фаз с углами моноклинности β1 и β2. Фаза с меньшим углом моноклинности β1 = 95.9 ÷ 97.2° близка по структурным параметрам к фазе I без волн зарядовой плотности. Фаза II с β2 = 99.9 ÷ 100.0° имеет пониженное значение параметра решетки вдоль сильнейшей связи (оси b), что предполагает повышенную концентрацию вакансий серы в этой фазе по сравнению с фазой I. Сделан вывод, что в исследованных вискерах произошел спинодальный распад c перераспределением вакансий серы, в результате которого наблюдается чередование фаз в направлении поперек слоев (001). В лучшем по структурному совершенству вискере II фазы наблюдается сателлитная структура, свидетельствующая об образовании сверхрешетки с периодом 35.2 нм в этом направлении. Спинодальный распад сочетается с высокими внутренними напряжениями, присутствующими в вискерах с моноклинной решеткой. Частичный спинодальный распад наблюдается и в некоторых вискерах I фазы без волн зарядовой плотности с появлением тонких прослоек фазы IV и фазы II с углом моноклинности β = 104°. Существование тонких слоев фазы II в объеме фазы I таких образцов подтверждается наблюдением ступенек Шапиро на вольт-амперных характеристиках при подаче высокочастотного напряжения. Фактор спинодального распада необходимо учитывать при описании свойств вискеров NbS3, номинально относящихся к тому или иному политипу.

Sobre autores

V. Martovitskiy

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

M. Nikitin

Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН

Москва, Россия

V. Pokrovskiy

Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН

Email: vadim.pokrovskiy@mail.ru
Москва, Россия

Bibliografia

  1. S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii, V. F. Nasretdinova, S.V. Zaitsev-Zotov, E. Zupanic, M. van Midden, W. W. Pai, J. Alloys Compd. 854, 157098 (2021).
  2. E. Zupanic, H. J. P. van Midden, M. van Midden, S. Sturm, E. Tchernychova, V. Ya. Pokrovskii, S. G. Zybtsev, V. F. Nasretdinova, S. V. Zaitsev-Zotov, W.T. Chen, W. W. Pai, J. C. Bennett, and A. Prodan, Phys. Rev. B 98, 174113 (2018).
  3. J. Rijnsdorp and F. Jellinek, J. Solid State Chem. 25, 32 (1978).
  4. M.A. Bloodgood, P. Wei, E. Aytan, K. N. Bozhilov, A. A. Balandin, and T. T. Salguero, APL Materials 6, 026602 (2018).
  5. S. G. Zybtsev, N. Yu. Tabachkova, V. Ya. Pokrovskii, S. A. Nikonov, A. A. Maizlakh, and S. V. Zaitsev-Zotov, JETP Lett. 114, 40 (2021).
  6. S. Conejeros, B. Guster, P. Alemany, J.-P. Pouget, and E. Canadell, Chem. Mater. 33, 5449 (2021).
  7. S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii, V. F. Nasretdinova, and S. V. Zaitsev-Zotov, Appl. Phys. Lett. 94, 152112 (2009).
  8. В. Я. Покровский, С. Г. Зыбцев, М. В. Никитин, И. Г. Горлова, В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев-Зотов, УФН 183, 33 (2013).
  9. I. Kojima and B. Li, The Rigaku J. 16, 31 (1999).
  10. P. F. Fewster, X-ray scattering from Semiconductors, Imperial College Press, London (2003), 299 p.
  11. В. П. Мартовицкий, А. Ю. Клоков, В. Я. Покровский, Письма в ЖЭТФ 118, 191 (2023).
  12. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
  13. H. Takahashi, H. Shaked, B. A. Hunter, P. G. Radaelli, R. L. Hitterman, D. G. Hinks, and J. D. Jorgensen, Phys. Rev. B 50, 3221 (1994).
  14. В. П. Скрипов, А. В. Скрипов, УФН 128, 193 (1979).
  15. К. Херлбат, К. Клейн, Минералогия по системе Дэна, Недра, М. (1982), 728 с.
  16. П. В. Середин, А. В. Глотов, В. Е. Терновая, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, ФТП 45, 1489 (2011).
  17. P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, and H. L. Launois, Appl. Phys. Lett. 40, 963 (1982).
  18. S. Ranganathan, Acta Crystallogr. 21, 197 (1966).
  19. Р. З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе, К.-Х. Ву, Т. Сакурай, УФН 174, 383 (2004).
  20. А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов, ФТП 47, 1554 (2013).
  21. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, Письма в ЖТФ 42, 66 (2016).
  22. P. Monceau, Adv. Phys. 61, 325 (2012).
  23. S. Brown and A. Zettl, in Charge Density Wave Current Oscillations and Interference Effects, in Charge Density Waves in Solids, ed. by L. P. Gor’kov and G. Gruner, Elsevier, Amsterdam, North-Holland (1989), v. 25, p. 223.
  24. A. Prodan, A. Budkowski, S. W. Boswell, V. Marinkovic, J. C. Bennett, and J. M. Corbett, J. Phys. C: Solid State Phys. 21, 4171 (1988).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024