Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF2/Si(111), модифицированных электронным облучением
- Авторы: Зиновьева А.Ф.1,2, Зиновьев В.А.1, Кацюба А.В.1, Володин В.А.1,2, Муратов В.И.2, Двуреченский А.В.1,2
-
Учреждения:
- Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
- Новосибирский государственный университет
- Выпуск: Том 119, № 9-10 (2024)
- Страницы: 692-696
- Раздел: Статьи
- URL: https://vestnik.nvsu.ru/0370-274X/article/view/664275
- DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X
- EDN: https://elibrary.ru/DHFOUQ
- ID: 664275
Цитировать