Моделирование процесса формирования нанопроводов Ir на поверхности Ge(001)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Впервые формирование нанопроводов иридия на поверхности Ge(001) было исследовано с использованием теории функционала плотности и кинетического метода Монте-Карло. Выявлено, что адатомы иридия погружаются в поверхностный слой, в котором и происходит их диффузия. Были выявлены основные диффузионные события, определяющие формирование атомных проводов и их форму. Обнаружена анизотропия диффузии атома иридия в поверхностном слое Ge(001). Выявлено, что отталкивание между атомом иридия и димером иридия приводит к формированию нанопроводов, состоящих из димеров, расположенных через один атомный ряд. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Об авторах

А. Г. Сыромятников

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Москва, Россия

А. М Салецкий

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Москва, Россия

А. Л Клавсюк

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Email: email@example.com
Москва, Россия

Список литературы

  1. A. L. Klavsyuk and A.M. Saletsky, Usp. Fiz. Nauk 185, 1009 (2015).
  2. A.G. Syromyatnikov, S.V. Kolesnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Usp. Fiz. Nauk 191, 705 (2021).
  3. D.E. P. Vanpoucke, J. Phys.: Condens. Matter 26, 133001 (2014).
  4. J.N. Crain and D.T. Pierce, Science 307, 703 (2005).
  5. S.C. Erwin and F. Himpsel, Nat. Commun. 1, 58 (2010)
  6. J. Park, S.W. Jung, M.-C. Jung, H. Yamane, N. Kosugi, and H.W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 110, 036801 (2013).
  7. S. F¨olsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 92, 056803 (2004).
  8. P. Ferstl, L. Hammer, C. Sobel, M. Gubo, K. Heinz, M.A. Schneider, F. Mittendorfer, and J. Redinger, Phys. Rev. Lett. 117, 046101 (2016).
  9. N. Kabanov, R. Heimbuch, H. Zandvliet, A. Saletsky, and A. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  10. T. F. Mocking, P. Bampoulis, N. Oncel, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Nat. Commun. 4, 2387 (2013).
  11. W. Ernst, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, C. Tegenkamp, and H. Pfn¨ur, Phys. Rev. B 68, 205303 (2003).
  12. J. Wang, M. Li, and E. I. Altman, Phys. Rev. B 70, 233312 (2004).
  13. J. Tonh¨auser, E. Atiawotse, U. K¨urpick, and R. Matzdorf, Surf. Sci. 720, 122053 (2022).
  14. O. Gurlu, O.A.O. Adam, H. J.W. Zandvliet, and B. Poelsema, Appl. Phys. Lett. 83, 4610 (2003).
  15. A. van Houselt, T. Gnielka, J.M. Aan de Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Surf. Sci. 602, 1731 (2008).
  16. N. S. Kabanov, R. Heimbuch, H. J.W. Zandvliet, A.M. Saletsky, and A.L. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  17. H. J.W. Zandvliet, Phys. Rep. 388, 1 (2003).
  18. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
  19. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
  20. G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  21. G. Kresse and J. Furthm?ller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
  22. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
  23. J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  24. H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
  25. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, H. J. Zandvliet, A. L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Appl. Surf. Sci. 594, 153364 (2022).
  26. ¨Ozlem Kap, N. Kabanov, M. Tsvetanova, C. Varlikli, A. L. Klavsyuk, H. J.W. Zandvliet, and K. Sotthewes, J. Phys. Chem. C 124, 11977 (2020).
  27. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, T. van der Meer, A. van Houselt, H. J.W. Zandvliet, A.L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Langmuir 38, 10202 (2022).
  28. K.A. Fichthorn and W.H. Weinberg, J. Chem. Phys. 95, 1090 (1991).
  29. K. Bromann, H. Brune, H. R¨oder, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 75, 677 (1995).
  30. A. Chatterjee and A.F. Voter, J. Chem. Phys. 132, 194101 (2010).
  31. Д. Френкель, Б. Смит, Принципы компьютерного моделирования молекулярных систем, Научный мир, М. (2013).
  32. A.G. Syromyatnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Surf. Sci. 693, 121528 (2020).
  33. А. Г. Сыромятников, А.М. Салецкий, А.Л. Клавсюк, Письма в ЖЭТФ 110, 331 (2019).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024