Modelirovanie protsessa formirovaniya nanoprovodov Ir na poverkhnosti Ge(001)

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Впервые формирование нанопроводов иридия на поверхности Ge(001) было исследовано с использованием теории функционала плотности и кинетического метода Монте-Карло. Выявлено, что адатомы иридия погружаются в поверхностный слой, в котором и происходит их диффузия. Были выявлены основные диффузионные события, определяющие формирование атомных проводов и их форму. Обнаружена анизотропия диффузии атома иридия в поверхностном слое Ge(001). Выявлено, что отталкивание между атомом иридия и димером иридия приводит к формированию нанопроводов, состоящих из димеров, расположенных через один атомный ряд. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.

作者简介

A. Syromyatnikov

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Москва, Россия

A. Saletskiy

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Москва, Россия

A. Klavsyuk

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова

Email: email@example.com
Москва, Россия

参考

  1. A. L. Klavsyuk and A.M. Saletsky, Usp. Fiz. Nauk 185, 1009 (2015).
  2. A.G. Syromyatnikov, S.V. Kolesnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Usp. Fiz. Nauk 191, 705 (2021).
  3. D.E. P. Vanpoucke, J. Phys.: Condens. Matter 26, 133001 (2014).
  4. J.N. Crain and D.T. Pierce, Science 307, 703 (2005).
  5. S.C. Erwin and F. Himpsel, Nat. Commun. 1, 58 (2010)
  6. J. Park, S.W. Jung, M.-C. Jung, H. Yamane, N. Kosugi, and H.W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 110, 036801 (2013).
  7. S. F¨olsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 92, 056803 (2004).
  8. P. Ferstl, L. Hammer, C. Sobel, M. Gubo, K. Heinz, M.A. Schneider, F. Mittendorfer, and J. Redinger, Phys. Rev. Lett. 117, 046101 (2016).
  9. N. Kabanov, R. Heimbuch, H. Zandvliet, A. Saletsky, and A. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  10. T. F. Mocking, P. Bampoulis, N. Oncel, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Nat. Commun. 4, 2387 (2013).
  11. W. Ernst, K.-L. Jonas, V. von Oeynhausen, C. Tegenkamp, and H. Pfn¨ur, Phys. Rev. B 68, 205303 (2003).
  12. J. Wang, M. Li, and E. I. Altman, Phys. Rev. B 70, 233312 (2004).
  13. J. Tonh¨auser, E. Atiawotse, U. K¨urpick, and R. Matzdorf, Surf. Sci. 720, 122053 (2022).
  14. O. Gurlu, O.A.O. Adam, H. J.W. Zandvliet, and B. Poelsema, Appl. Phys. Lett. 83, 4610 (2003).
  15. A. van Houselt, T. Gnielka, J.M. Aan de Brugh, N. Oncel, D. Kockmann, R. Heid, K.-P. Bohnen, B. Poelsema, and H. J.W. Zandvliet, Surf. Sci. 602, 1731 (2008).
  16. N. S. Kabanov, R. Heimbuch, H. J.W. Zandvliet, A.M. Saletsky, and A.L. Klavsyuk, Appl. Surf. Sci. 404, 12 (2017).
  17. H. J.W. Zandvliet, Phys. Rep. 388, 1 (2003).
  18. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
  19. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
  20. G. Kresse and J. Furthm¨uller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  21. G. Kresse and J. Furthm?ller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
  22. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
  23. J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  24. H. Monkhorst and J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
  25. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, H. J. Zandvliet, A. L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Appl. Surf. Sci. 594, 153364 (2022).
  26. ¨Ozlem Kap, N. Kabanov, M. Tsvetanova, C. Varlikli, A. L. Klavsyuk, H. J.W. Zandvliet, and K. Sotthewes, J. Phys. Chem. C 124, 11977 (2020).
  27. M. Tsvetanova, A.G. Syromyatnikov, T. van der Meer, A. van Houselt, H. J.W. Zandvliet, A.L. Klavsyuk, and K. Sotthewes, Langmuir 38, 10202 (2022).
  28. K.A. Fichthorn and W.H. Weinberg, J. Chem. Phys. 95, 1090 (1991).
  29. K. Bromann, H. Brune, H. R¨oder, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 75, 677 (1995).
  30. A. Chatterjee and A.F. Voter, J. Chem. Phys. 132, 194101 (2010).
  31. Д. Френкель, Б. Смит, Принципы компьютерного моделирования молекулярных систем, Научный мир, М. (2013).
  32. A.G. Syromyatnikov, A.M. Saletsky, and A. L. Klavsyuk, Surf. Sci. 693, 121528 (2020).
  33. А. Г. Сыромятников, А.М. Салецкий, А.Л. Клавсюк, Письма в ЖЭТФ 110, 331 (2019).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Российская академия наук, 2024