Kaskad fazovykh perekhodov pod davleniem v BaMn2P2 i BaMn2As2

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

В рамках DFT+U метода изучено изменение кристаллической структуры, электронных, термодинамических и магнитных свойств при приложении гидростатического давления от 0 до 140 ГПа в соединениях BaMn2P2 и BaMn2As2 – структурных аналогах сверхпроводников на основе железа. Фазовый переход второго рода от антиферромагнитного изолятора к антиферромагнитному металлу наблюдается при давлении 6.4 ГПа для BaMn2P2 и 8.3 ГПа для BaMn2As2. Возможно, при допировании BaMn2P2 и BaMn2As2 могут оказаться сверхпроводниками выше 6–8 ГПа с критической температурой, которая растет под давлением. Более того, дальнейшее увеличение давления приводит к серии магнитоструктурных фазовых переходов первого рода между различными антиферромагнитными фазами, после которых происходит переход в сосояние ферромагнитного металла и, наконец, немагнитного металла.

Авторлар туралы

N. Pavlov

Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Email: pavlov@iep.uran.ru
Екатеринбург, Россия; Москва, Россия

I. Shein

Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН

Екатеринбург, Россия

I. Nekrasov

Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Екатеринбург, Россия; Москва, Россия

Әдебиет тізімі

  1. М. В. Садовский, Успехи физических наук 178, 1243 (2008).
  2. G.R. Stewart, Rev. Mod. Phys. 83, 1589 (2011).
  3. K. Ishida, Y. Nakai, and H. Hosono, J. Phys. Soc. Jpn. 78, 062001 (2009).
  4. M. Neupane, Ch. Liu, S.-Y. Xu, Y.-J. Wang, N. Ni, J.M. Allred, L.A. Wray, N. Alidoust, H. Lin, R. S. Markiewicz, A. Bansil, R. J. Cava, and M. Z. Hasan, Phys. Rev. B 85, 094510 (2012).
  5. И. А. Некрасов, М. В. Садовский, Письма в ЖЭТФ 10, 687 (2014).
  6. T. L. Hung, C. H. Huang, L. Z. Deng, M. N. Ou, Y. Y. Chen, M. K. Wu, S. Y. Huyan, C. W. Chu, P. J. Chen, and T. K. Lee, Nat. Commun. 12, 5436 (2021).
  7. A. T. Satya, Awadhesh Mani, A. Arulraj, N. V. Chandra Shekar, K. Vinod, C. S. Sundar, and A. Bharathi, Phys. Rev. B 84, 180515 (2011).
  8. Y. Singh, A. Ellern, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 79, 094519 (2009).
  9. A. Pandey, V. K. Anand, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 84, 014405 (2011).
  10. A. Antal, T. Knoblauch, Y. Singh, P. Gegenwart, D. Wu, and M. Dressel, Phys. Rev. B 86, 014506 (2012).
  11. W. L. Zhang, P. Richard, A. van Roekeghem et al. (Collaboration), Phys. Rev. B 94, 155155 (2016).
  12. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  13. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  14. S.L. Dudarev, G. A. Botton, S.Y. Savrasov, C. J. Humphreys, and A. P. Sutton, Phys. Rev. B 57, 1505 (1998).
  15. A. Otero-de-la Roza and V. Luana, Comput. Phys. Commun. 182, 1708 (2011).
  16. F. Birch, Phys. Rev. 71, 809 (1947).
  17. W. Hai-Ping, D. Kai-Ming, T. Wei-Shi, X. Chuan-Yun, H. Feng-Lan, and L. Qun-Xiang, Chinese Physics B 18, 5008 (2009).
  18. E. Z. Kuchinskii, I. A. Nekrasov, and M. V. Sadovskii, Письма в ЖЭТФ 91, 567 (2010).
  19. K. Kobayashi, J.-i. Yamaura, S. limura, S. Maki, H. Sagayama, R. Kumai, Y. Murakami, H. Takahashi, S. Matsuishi, and H. Hosono, Sci. Rep. 6, 39646 (2016).
  20. A. S Sefat, Rep. Prog. Phys. 74, 124502 (2011).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Российская академия наук, 2024