Kaskad fazovykh perekhodov pod davleniem v BaMn2P2 i BaMn2As2

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

В рамках DFT+U метода изучено изменение кристаллической структуры, электронных, термодинамических и магнитных свойств при приложении гидростатического давления от 0 до 140 ГПа в соединениях BaMn2P2 и BaMn2As2 – структурных аналогах сверхпроводников на основе железа. Фазовый переход второго рода от антиферромагнитного изолятора к антиферромагнитному металлу наблюдается при давлении 6.4 ГПа для BaMn2P2 и 8.3 ГПа для BaMn2As2. Возможно, при допировании BaMn2P2 и BaMn2As2 могут оказаться сверхпроводниками выше 6–8 ГПа с критической температурой, которая растет под давлением. Более того, дальнейшее увеличение давления приводит к серии магнитоструктурных фазовых переходов первого рода между различными антиферромагнитными фазами, после которых происходит переход в сосояние ферромагнитного металла и, наконец, немагнитного металла.

Sobre autores

N. Pavlov

Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Email: pavlov@iep.uran.ru
Екатеринбург, Россия; Москва, Россия

I. Shein

Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН

Екатеринбург, Россия

I. Nekrasov

Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Екатеринбург, Россия; Москва, Россия

Bibliografia

  1. М. В. Садовский, Успехи физических наук 178, 1243 (2008).
  2. G.R. Stewart, Rev. Mod. Phys. 83, 1589 (2011).
  3. K. Ishida, Y. Nakai, and H. Hosono, J. Phys. Soc. Jpn. 78, 062001 (2009).
  4. M. Neupane, Ch. Liu, S.-Y. Xu, Y.-J. Wang, N. Ni, J.M. Allred, L.A. Wray, N. Alidoust, H. Lin, R. S. Markiewicz, A. Bansil, R. J. Cava, and M. Z. Hasan, Phys. Rev. B 85, 094510 (2012).
  5. И. А. Некрасов, М. В. Садовский, Письма в ЖЭТФ 10, 687 (2014).
  6. T. L. Hung, C. H. Huang, L. Z. Deng, M. N. Ou, Y. Y. Chen, M. K. Wu, S. Y. Huyan, C. W. Chu, P. J. Chen, and T. K. Lee, Nat. Commun. 12, 5436 (2021).
  7. A. T. Satya, Awadhesh Mani, A. Arulraj, N. V. Chandra Shekar, K. Vinod, C. S. Sundar, and A. Bharathi, Phys. Rev. B 84, 180515 (2011).
  8. Y. Singh, A. Ellern, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 79, 094519 (2009).
  9. A. Pandey, V. K. Anand, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 84, 014405 (2011).
  10. A. Antal, T. Knoblauch, Y. Singh, P. Gegenwart, D. Wu, and M. Dressel, Phys. Rev. B 86, 014506 (2012).
  11. W. L. Zhang, P. Richard, A. van Roekeghem et al. (Collaboration), Phys. Rev. B 94, 155155 (2016).
  12. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  13. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  14. S.L. Dudarev, G. A. Botton, S.Y. Savrasov, C. J. Humphreys, and A. P. Sutton, Phys. Rev. B 57, 1505 (1998).
  15. A. Otero-de-la Roza and V. Luana, Comput. Phys. Commun. 182, 1708 (2011).
  16. F. Birch, Phys. Rev. 71, 809 (1947).
  17. W. Hai-Ping, D. Kai-Ming, T. Wei-Shi, X. Chuan-Yun, H. Feng-Lan, and L. Qun-Xiang, Chinese Physics B 18, 5008 (2009).
  18. E. Z. Kuchinskii, I. A. Nekrasov, and M. V. Sadovskii, Письма в ЖЭТФ 91, 567 (2010).
  19. K. Kobayashi, J.-i. Yamaura, S. limura, S. Maki, H. Sagayama, R. Kumai, Y. Murakami, H. Takahashi, S. Matsuishi, and H. Hosono, Sci. Rep. 6, 39646 (2016).
  20. A. S Sefat, Rep. Prog. Phys. 74, 124502 (2011).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024