Спинодальный распад вискеров NbS3 c волнами зарядовой плотности

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Рентгенодифракционное исследование в скользящей геометрии вискеров NbS3 II фазы с волнами зарядовой плотности показало, что в них вместо одиночных пиков (h0l) присутствуют пары уширенных рефлексов от двух близких фаз с углами моноклинности β1 и β2. Фаза с меньшим углом моноклинности β1 = 95.9 ÷ 97.2° близка по структурным параметрам к фазе I без волн зарядовой плотности. Фаза II с β2 = 99.9 ÷ 100.0° имеет пониженное значение параметра решетки вдоль сильнейшей связи (оси b), что предполагает повышенную концентрацию вакансий серы в этой фазе по сравнению с фазой I. Сделан вывод, что в исследованных вискерах произошел спинодальный распад c перераспределением вакансий серы, в результате которого наблюдается чередование фаз в направлении поперек слоев (001). В лучшем по структурному совершенству вискере II фазы наблюдается сателлитная структура, свидетельствующая об образовании сверхрешетки с периодом 35.2 нм в этом направлении. Спинодальный распад сочетается с высокими внутренними напряжениями, присутствующими в вискерах с моноклинной решеткой. Частичный спинодальный распад наблюдается и в некоторых вискерах I фазы без волн зарядовой плотности с появлением тонких прослоек фазы IV и фазы II с углом моноклинности β = 104°. Существование тонких слоев фазы II в объеме фазы I таких образцов подтверждается наблюдением ступенек Шапиро на вольт-амперных характеристиках при подаче высокочастотного напряжения. Фактор спинодального распада необходимо учитывать при описании свойств вискеров NbS3, номинально относящихся к тому или иному политипу.

Об авторах

В. П Мартовицкий

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

М. В Никитин

Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН

Москва, Россия

В. Я Покровский

Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН

Email: vadim.pokrovskiy@mail.ru
Москва, Россия

Список литературы

  1. S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii, V. F. Nasretdinova, S.V. Zaitsev-Zotov, E. Zupanic, M. van Midden, W. W. Pai, J. Alloys Compd. 854, 157098 (2021).
  2. E. Zupanic, H. J. P. van Midden, M. van Midden, S. Sturm, E. Tchernychova, V. Ya. Pokrovskii, S. G. Zybtsev, V. F. Nasretdinova, S. V. Zaitsev-Zotov, W.T. Chen, W. W. Pai, J. C. Bennett, and A. Prodan, Phys. Rev. B 98, 174113 (2018).
  3. J. Rijnsdorp and F. Jellinek, J. Solid State Chem. 25, 32 (1978).
  4. M.A. Bloodgood, P. Wei, E. Aytan, K. N. Bozhilov, A. A. Balandin, and T. T. Salguero, APL Materials 6, 026602 (2018).
  5. S. G. Zybtsev, N. Yu. Tabachkova, V. Ya. Pokrovskii, S. A. Nikonov, A. A. Maizlakh, and S. V. Zaitsev-Zotov, JETP Lett. 114, 40 (2021).
  6. S. Conejeros, B. Guster, P. Alemany, J.-P. Pouget, and E. Canadell, Chem. Mater. 33, 5449 (2021).
  7. S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii, V. F. Nasretdinova, and S. V. Zaitsev-Zotov, Appl. Phys. Lett. 94, 152112 (2009).
  8. В. Я. Покровский, С. Г. Зыбцев, М. В. Никитин, И. Г. Горлова, В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев-Зотов, УФН 183, 33 (2013).
  9. I. Kojima and B. Li, The Rigaku J. 16, 31 (1999).
  10. P. F. Fewster, X-ray scattering from Semiconductors, Imperial College Press, London (2003), 299 p.
  11. В. П. Мартовицкий, А. Ю. Клоков, В. Я. Покровский, Письма в ЖЭТФ 118, 191 (2023).
  12. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
  13. H. Takahashi, H. Shaked, B. A. Hunter, P. G. Radaelli, R. L. Hitterman, D. G. Hinks, and J. D. Jorgensen, Phys. Rev. B 50, 3221 (1994).
  14. В. П. Скрипов, А. В. Скрипов, УФН 128, 193 (1979).
  15. К. Херлбат, К. Клейн, Минералогия по системе Дэна, Недра, М. (1982), 728 с.
  16. П. В. Середин, А. В. Глотов, В. Е. Терновая, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, ФТП 45, 1489 (2011).
  17. P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, and H. L. Launois, Appl. Phys. Lett. 40, 963 (1982).
  18. S. Ranganathan, Acta Crystallogr. 21, 197 (1966).
  19. Р. З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе, К.-Х. Ву, Т. Сакурай, УФН 174, 383 (2004).
  20. А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов, ФТП 47, 1554 (2013).
  21. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, Письма в ЖТФ 42, 66 (2016).
  22. P. Monceau, Adv. Phys. 61, 325 (2012).
  23. S. Brown and A. Zettl, in Charge Density Wave Current Oscillations and Interference Effects, in Charge Density Waves in Solids, ed. by L. P. Gor’kov and G. Gruner, Elsevier, Amsterdam, North-Holland (1989), v. 25, p. 223.
  24. A. Prodan, A. Budkowski, S. W. Boswell, V. Marinkovic, J. C. Bennett, and J. M. Corbett, J. Phys. C: Solid State Phys. 21, 4171 (1988).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024